图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 NTD4906N |
| 文档 |
Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 10.3A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 5.5 mOhm @ 30A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 24nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1932pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 1.38W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3DPAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 14 A |
| RDS -于 | 5.5@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 13|7.7 ns |
| 典型上升时间 | 21|19 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 20|22 ns |
| 典型下降时间 | 3.7|2.3 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| Categoria | Power MOSFET |
| Dissipazione massima della potenza | 2600 |
| 符合UE | Compliant |
| Corrente di drain continua massima | 14 |
| Confezione | Tape and Reel |
| 诺姆标准苏拉confezione | DPAK |
| Massima temperatura d'esercizio | 175 |
| Temperatura d'esercizio minima | -55 |
| Resistenza di sorgente di drain massima | 5.5@10V |
| TIPO二运河 | N |
| 经conduttore | Gull-wing |
| 每个芯片NUMERO二培元 | 1 |
| Confezione fornitore | DPAK |
| Modalità canale | Enhancement |
| Massima tensione di drain alla fonte | 30 |
| Tensione di fonte gate massima | ±20 |
| NUMERO DEI针 | 3 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 10.3A (Ta), 54A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | D-Pak |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 5.5 mOhm @ 30A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.38W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1932pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 24nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | NTD4906NT4GOSCT |
| 类别 | Power MOSFET |
| 渠道类型 | N |
| 外形尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.38mm |
| 身高 | 2.38mm |
| 长度 | 6.73mm |
| 最大漏源电阻 | 8 mΩ |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大功率耗散 | 2.6 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | DPAK |
| 引脚数 | 3 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 11 nC @ 4.5 V |
| 典型输入电容@ VDS | 1932 pF @ 15 V |
| 宽度 | 6.22mm |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 14 A |
| 正向跨导 - 闵 | 52 S |
| RDS（ON） | 8 mOhms |
| 功率耗散 | 1.38 W |
| 封装/外壳 | DPAK |
| 配置 | Single |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 11 nC |
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